Cunoscut sub numele de Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transitor (VTFET), noul cip ar putea reduce consumul de energie cu până la 85% sau dubla performanța modelelor existente. În prezent, majoritatea cipurilor utilizate în dispozitivele electronice se bazează pe tranzistori cu efect de câmp cu transport lateral (FET), care sunt un tip de tranzistor cu efect de câmp (finFET).

FinFET-urile funcționează prin plasarea tranzistorilor pe suprafața unei plachete, dar noul design al VTFET-urilor așează tranzistorii în straturi perpendiculare pe placă. Diferența de aspect are ca rezultat un nou flux de curent care depășește limitările existente privind dimensiunea contactului și puterea tranzistorului, care apoi poate fi optimizat pentru a reduce consumul de energie într-un dispozitiv.

În cazul în care tehnologia se va realiza la scară largă, bateriile pentru smartphone-uri ar putea funcționa o săptămână întreagă înainte de a avea nevoie de reîncărcare.

De asemenea, ar putea reduce cantitatea de energie utilizată în prezent pentru a extrage criptomonede, abordând astfel preocupările climatice din jurul industriei de criptomonede.

__________________________________________________________________________________________________

Urmăriți emisiunile preferate pe protvplus.ro: